一、为什么开关电源效率比线性稳压电源高那么多?
说说各自工作本质吧,简单点的。
1,线性电源: 半导体晶体管主要工作在放大状态,ce极电压较大,当电流大就损耗越大。
2,开关电源:半导体开关管主要工作在饱和状态,饱和导通时候,ce极(以晶体管为例,其他开关管等效变换)导通压降小,即使电流很大,整体损耗也偏小。
mos和igbt有由于饱和导通后,特性不一样,从损耗来看igbt主要用于大电流电源(忽略频率因素)总之,从上两种电源本质特性可以得出,线性电源主要用于小功率场合5w以下,开关电源用于大功率场合。
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二、IGBT模块 属于哪类
就是IGBT了。
属于被动元器件

三、igbt与mosfet的相同和不同之处
实际上,IGBT是MOSFET和GTR的达林顿连接。
MOSFET是单极型器件,GTR是双极型器件。
所以IGBT是混合型器件。
IGBT的输入特性与MOSFET一样,输出特性与GTR一样。
IGBT和MOSFET都是电压驱动型器件。
他们可以用同样的驱动电路。
由于GTR的特点是功率容量(电流耐力和电压耐力)大,开关速度慢。
而MOSFET的特点是,功率容量小,开关速度快。
而IGBT的特点是介于二者之间的。
就是说IGBT的特点是功率容量较大,开关速度较快,能力比较综合。

四、UPS中的整流器类型有IGBT和12脉冲,这两者在功能上有什么区别
IGBT不是整流器,它是开关元件。
逆变时用的。
12脉冲整流器是12个SCR(可控硅)构成的整流桥,把三相380整流成直流。

五、那位大虾告诉下怎么区分IGBT的上桥壁和下桥壁,说详细点,谢谢了
答:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
例如:我们生产电焊机就要用 还用现在的电动汽车 高铁的机车牵引 功率变频器就是控制电机转速的 还有UPS电源等都要用的。

六、电焊机的IGBT是什么意思?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

七、电焊机里IGBT啥意思
答:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;
MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
例如:我们生产电焊机就要用 还用现在的电动汽车 高铁的机车牵引 功率变频器就是控制电机转速的 还有UPS电源等都要用的。

参考文档
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